Владимир Беспалов рассказал о знаковых для зеленоградского вуза научных событиях 2020 года.

Отвечая на соответствующий вопрос в интервью студенческому журналу «Инверсия», ректор МИЭТа сказал, что в первую очередь хотел бы отметить достижения технологов университета. «Им удалось впервые в России реализовать полный технологический цикл изготовления силовых транзисторов на основе структур GaN-наSi на подложках диаметром 150 миллиметров. При этом весь маршрут изготовления был осуществлен на оборудовании МИЭТа, приобретенном ранее в рамках программ развития инфраструктуры университета», — заявил Беспалов.

По его словам, ряд значимых технологических результатов был получен в Центре компетенций Национальной технологической инициативы «Сенсорика», который был создан при вузе в 2018 году. «Среди них можно выделить новые конструкции ИК-фотоприемников на основе соединений А3В5 и солнечно-слепых детекторов на основе алмазных пленок, легированных бором, для приемников изображений, чувствительных в спектральном диапазоне 180-270 нанометров», — отметил ректор МИЭТа.

Беспалов подчеркнул, что ученым МИЭТа удалось сохранить накопленный потенциал и решить ряд важных задач в части развития технологий микроэлектроники, несмотря на завершение федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014–2020 годы», которая была главным источником финансирования прикладных исследований в интересах предприятий. Также ректор МИЭТа отметил, что наряду с прикладными исследованиями, ученые университета активно участвуют и в фундаментальных — они финансируются Российским фондом фундаментальных исследований и Российским научным фондом.

Добавим, что 9 декабря 2020 года исполнилось 55 лет с момента основания в Зеленограде Московского института электронной техники.